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        東莞市智旭電子有限公司

        多層瓷介電容器的失效模式

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         多層瓷介電容器具有體積小,介電常數高,化學穩定性好,損耗小等優點,廣泛應用于通信、汽車電子、消費數碼等領域。近年來科學技術、國防工業和民用工業的發展,對多層瓷介電容器的可靠性提出了更高的要求。因而其失效模式、機理和預防措施越來越受到關注。所以小編我總結了多層瓷介電容器的各種失效模式,希望能對大家有所幫助。

        多層瓷介電容器的失效模式1.jpg

        多層瓷介電容器的失效模式和失效機理眾多,按照電參數表現來看,失效模式可以分為三種,即開路、短路和電參數漂移。常見的就是電參數漂移,這其中又包括了電容量的變化、損耗的變化和絕緣電阻的變化,三個參數中為靈敏的電參數為損耗值和絕緣電阻值,只要表現出了失效,其損耗值或絕緣電阻值都或多或少出現不同程度的漂移,因此考察損耗值和絕緣電阻值對于評判多層瓷介電容器的失效狀態具有重要意義。

        短路的失效模式較為常見,通常表現為兩個端電極間的電阻值明顯下降至歐姆或者毫歐姆的數量級,這種失效模式大多與過電有關系。開路的失效模式比較少見,主要有兩種情況,一種情況是經歷了嚴重的過電后,致使內部電極間或者端電極與內電極間燒毀形成開路;另外一種情況是某種應力致使端電極與內電極間因為過應力出現裂紋、開裂,導致電極間電連接不好形成開路,此種失效多數和電容本身的質量有關。

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